高放熱・絶縁材料
銅箔付き放熱・絶縁接着シート

製品紹介

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半導体の信頼性を確保するトランスファーモールド成型に対応した半硬化シートです。
当社の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料とリードフレームを使用した従来のモジュール製造プロセスに対応します。さらに、セラミック基板と比較してパッケージの反りを抑制します。

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トランスファー成形を想定した12W級シート推奨成形条件

  • 平板プレスでの成形後、オーブンで後硬化(PMC)します。
  • 温度/面圧プロファイルとPMC条件の一例を以下に示します。
  • 推奨成形条件は一例であり、設定の目安です。また、接着される部材の表面状態や成形機、熱源等による製品内部温度データ、製品サイズなどをもとに加圧タイミングなど変更する必要があります。
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一般特性

放熱・絶縁接着シート及び銅箔付き放熱・絶縁接着シート

項目 試験方法 12W級
(200 μm)
熱伝導率 W/m·K Laser flash / 25℃ 12
絶縁破壊電圧 kVrms AC / 25℃ 12
体積抵抗率 Ω·cm DC, 0.5 kV / 25℃ 1E+16
誘電率 - 1 MHz 4.6
誘電正接 - 1 MHz ≦0.02
ガラス転移温度 (Tg) DMA 220
弾性率 (E’) GPa DMA / 25℃ 24
CTE (α1) ppm/K TMA, < Tg 12
銅箔ピール強度 kN/m 18 μm銅箔 0.3

注記

  • 上表のデータは測定値であり、保証値ではありません。

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