５Ｇ対応低誘電率・低誘電正接基板材料の開発について

第５世代移動体通信システム（5G）はわが国でも商用化がスタートし、高速・大容量、低遅延、多数接続等、これまでの通信システムと比べ大きく進化しており、日々の暮らしやビジネスを便利にしていくと考えられています。５Ｇ通信ではより高い周波数の領域が使用されますが、AiP^※１、RFモジュール^※２、メモリーなど、それらを支える高周波アプリケーションの回路基板材料に対しては、低消費電力、低遅延のために低誘電率、低誘電正接が求められています。

これまで当社は、半導体パッケージ基板材料（LαZ^® シリーズ）の生産・販売を行ってきましたが、その特徴である低熱膨張、高剛性、高弾性率の特性を維持しつつ、新たな樹脂設計や配合技術により誘電率3.4、誘電正接0.003（＠10GHz）を達成しました。加えて、一般的に通常の基板材料に比べると悪化するビア^※３形成プロセス（レーザー加工・ビア底のクリーニング性）についても、十分な性能が確保されており、顧客での加工性とバランスのとれた材料です。また、銅配線との密着性にも優れており、微細配線および銅表面の低粗度による信号伝送損失の低減が期待できます。